【摘 要】
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将二维狭缝合成射流出口放置于圆柱后驻点，通过水槽PIV实验研究合成射流对圆柱绕流流场特性的影响。圆柱绕流雷诺数为950，尾迹涡脱落频率0.30Hz。实验中固定合成射流激励器振幅，研究改变激励器频率对圆柱时均速度场以及雷诺应力场等的影响。没有施加控制时，圆柱后缘尾迹区由于流动分离形成一个较大的回流区。增加激励频率，合成射流出口速度和涡量强度相应增大，圆柱后缘尾迹区速度亏损减小，致使流场拓扑结构发生相
【机 构】
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北京航空航天大学流体力学研究所,北京 100191
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将二维狭缝合成射流出口放置于圆柱后驻点，通过水槽PIV实验研究合成射流对圆柱绕流流场特性的影响。圆柱绕流雷诺数为950，尾迹涡脱落频率0.30Hz。实验中固定合成射流激励器振幅，研究改变激励器频率对圆柱时均速度场以及雷诺应力场等的影响。没有施加控制时，圆柱后缘尾迹区由于流动分离形成一个较大的回流区。增加激励频率，合成射流出口速度和涡量强度相应增大，圆柱后缘尾迹区速度亏损减小，致使流场拓扑结构发生相应变化：尾迹区内会依次形成两个、一个回流区直至回流区完全消失；雷诺应力也会发生相应变化，尾迹区外侧雷诺应力逐渐减小并且峰值向上游移动，回流区完全消失以后，雷诺应力随射流出口速度增加而增大，并且分布形式也会发生改变。
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