【摘 要】
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本文对于VDMOS漂移区中由泊松方程得到的解析解,通过进行一些近似处理,将其由一个关于电场的隐含表达式转化为近似的电场的显式表达式,这样就在较大程度上简化了模型的计算过程,从而得到了一种简化的VDMOS静态物理模型.器件模拟软件MEDICI的模拟结果验证了本文简化模型的计算精度,可以看到,虽然简化模型是经过近似处理得到的,但是其计算精度依然是较高的.
【机 构】
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东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,江苏,南京,210096
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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本文对于VDMOS漂移区中由泊松方程得到的解析解,通过进行一些近似处理,将其由一个关于电场的隐含表达式转化为近似的电场的显式表达式,这样就在较大程度上简化了模型的计算过程,从而得到了一种简化的VDMOS静态物理模型.器件模拟软件MEDICI的模拟结果验证了本文简化模型的计算精度,可以看到,虽然简化模型是经过近似处理得到的,但是其计算精度依然是较高的.
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