19Kg投料量LEC法Φ4 SI-GaAs单晶生长技术探讨

来源 :第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：deadhorse

【摘要】

：

长期以来,GaAs材料的发展主要是基于航空航天、军事和高端应用的牵引,那时的体材料研究重点基本集中在如何提高材料性能以便获得优良的器件应用结果方面.近年来随着其在民用领域应用的不断扩大,基于器件制造工艺一致性的要求,体材料供应商必须提高单锭出片数及性能的整锭均匀性;同时基于自身制造成本的考虑,目前体材料制备一般采用相对较大的投料量.本文探讨了19Kg投料量LCE法单晶生长技术.

【作者】

：

王文军惠峰高永亮王志宇

【机构】

：

中科院半导体所

【出处】

：

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

【发表日期】

：

2004年7期

【关键词】

：

投料量 LEC法单晶生长 GaAs材料半导体材料

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