GaAs材料相关论文
随着GaAs器件、集成电路水平的不断提高,对材料的质量提出了越来越高的要求.在我们多年从事器件研究的过程中深感用来标称单晶质量......
本文在深入细致地分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,对以SI-GaAs为衬底的共振隧穿二极管(RTD)分子束外延(MBE)材料......
长期以来,GaAs材料的发展主要是基于航空航天、军事和高端应用的牵引,那时的体材料研究重点基本集中在如何提高材料性能以便获得优......
对嵌有AlAs薄层的GaAs外延材料在450℃下用水汽测壁氧化的方法使之成为具有AlO绝缘缓冲层的GaAS多层外延材料（GOI）将该材料与一般GaA......
在配有液Ｎ２冷却Ａｓ快门的分子束外延设备中利用迁移增强外延（ＭＥＥ）方法于低温下生长了ＧａＡｓ／Ａｌ／ＧａＡｓ结构材料。俄歇测量结果表明，用ＭＥＥ方法生长的材料中Ａｌ和ＧａＡｓ之间的......
本文深入研究了GaAs材料的激子效应和电荷畴之间的相互作用,并对其光电导特性进行了分析,阐述了GaAs材料光电导影响因素,研究了当......
对Ｔｅ掺杂ｎ型ＧａＡｓ材料在３００～６０Ｋ之间的辐射复合进行光致发光（ＰＬ）研究。用发射波长为５１０．６ｎｍ和５７８．２ｎｍ的溴化亚铜激光器为激发光源。在所选取的狭缝宽度下谱仪的分辨率......
GaAs集成电路要求FET有一致的夹断特性,而半绝缘GaAs衬底的质量对Si全离子注入的MESFET有着重大影响。这是由于高阻衬底中的Cr在......
该文认为提高GaAs材料的抗Y射线剂量率性能，也就是减小当y射线照射半导体器件时基体材料的电离效应和位移效应，关键在于对基体材料进......
砷化镓(GaAs)材料具有优异的光电特性,是目前最重要的化合物半导体材料。自发现以来被广泛的应用于各个领域,特别是在军事方面,GaA......
随着半导体和微电子学科的发展，通信技术也日新月异。卫星通信是一种通信距离远、覆盖范围广、通信容量大的通信方式。由于材料和器......
Ga As电池因其高吸收、耐高温及抗辐射等特点在太阳电池研究领域受到广泛关注,但是Ga As材料高折射引起的高反射严重影响Ga As电池......
随着通信系统的快速发展，基于GaAs材料的单片微波集成电路(MMIC)获得了飞速发展，同时也面临着更高的可靠性需求。低频噪声检测以其灵......
用半导体光电导开关(Photoconductive Semiconductor Switches,简称PCSS’s)产生的超短电磁脉冲可应用于雷达、通信、THZ成像等技......
微波功率是表征微波信号特征的一个重要参数,微波功率测试在现代无线通信系统中有着广泛的应用。传统的微波功率探头只能测试芯片......
随着半导体技术的产业化，GaAs 材料凭借其电子迁移率高、禁带宽度大、本征载流子浓度低、光电特性好及对磁场敏感度强等优良的物理......
与传统开关相比，GaAs光电导开关具有开关速度快、时间抖动小、触发无晃动、寄生电感电容小、高重复频率、结构简单特别是耐高压及大......
随着在现代核物理与核科学技术方面的深层次研究以及诸多关键理论的不断突破,核技术在空间物理科学、核地质学、现代医疗等诸多领......
学位
报道了用半导体材料 Ga As实现氙灯抽运 Nd:YAG激光器的被动调 Q运转 ,测量了激光器的阈值、脉冲宽度和输出能量。从 Ga As的能级......
利用半导体GaAs材料透过率特性构成的光纤测温系统具有抗电磁干扰、抗腐蚀、绝缘性好等特点 ,但精度不够高。针对这种情况 ,本文提......
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综述了世界GaAs材料的生长技术发展状况、生产状况、应用和市场状况及发展趋势。...
放射性同位素电池（或称核电池）是利用放射性同位素在衰变时释放的能量转化为电能的装置。随着砷化镓（GaAs）半导体材料的不断发展,基于G......
