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本文把具有窄带隙高吸收系数特性的微晶硅锗材料引入三结叠层电池的底电池中， 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，制备出了初始效率为12.09％的高效 p-i-n 型非晶硅/非晶硅锗/微晶硅锗三结叠层电池。在本征层Ge 含量为10％，厚度仅为1200nm的情况下，就可以使底电池电流与前两节子电池电流相匹配，效率优于本征层厚度为2000nm的微晶硅底电池，体现了微晶硅锗这一新型硅基薄膜光伏材料作为叠层电池底电池的优势。