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GaAs HBT直接耦合微波单片集成电路
GaAs HBT直接耦合微波单片集成电路
来源 :全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fjkdkfjkldsjk
【摘 要】
:
叙述了基于GaAs HBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路,包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果。
【作 者】
:
曾庆明
徐晓春
刘伟吉
【机 构】
:
信息产业部电子第十三研究所专用集成电路国家重点实验室
【出 处】
:
全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
:
2000年期
【关键词】
:
直接耦合
跨阻放大器
微波单片集成电路
可级联放大器
设计制造
测试结果
叙述
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叙述了基于GaAs HBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路,包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果。
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