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原位生长SiNx缓冲层对GaN薄膜特性的影响

来源 :第六届全国毫米波亚毫米波学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fashion_darling

【摘 要】

：

本文利用LP-MOCVD在蓝宝石衬底上生长了带有薄SiNx缓冲层的GaN薄膜,并研究了SiH4流量对晶体质量、发光及电学特性的影响.实验发现GaN薄膜中刃位错和螺位错密度均随SiH4流量的

【作 者】

：

李忠辉 董逊 张岚 

【机 构】

：

南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016

【出 处】

：

第六届全国毫米波亚毫米波学术会议

【发表日期】

：

2006年期

【关键词】

：

原位生长 缓冲层 薄膜特性 最小值 蓝宝石衬底 位错密度 流量 晶体质量 方块电阻 电学特性 刃位错 实验 发光 

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本文利用LP-MOCVD在蓝宝石衬底上生长了带有薄SiNx缓冲层的GaN薄膜,并研究了SiH4流量对晶体质量、发光及电学特性的影响.实验发现GaN薄膜中刃位错和螺位错密度均随SiH4流量的增加而增加,最小值分别达到4.28×109 cm-2和1.3×108 cm-2;GaN薄膜的PL FWHM和方块电阻的最小值分别为5.4 nm和496 Ω/sq..

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