Nearly Constant Electrical Resistance over Large Temperature Range in Interstitially Doped Cu3NMx(M=

来源 :中国物理学会2013年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dingdang19822003
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  Thin films of Cu3NMx(M=Cu,Ag,Au)compounds were grown by magnetron sputtering of metal targets in nitrogen atmosphere,aiming at obtaining single solids of nearly constant electrical resistance in a large temperature range.
其他文献
以氨基改性的SBA-15为载体(AMS),KBH4为还原剂制备了一系列Au、Pd双金属催化剂,并经XRD、TEM表征.Au、Pd间的协同作用使该类催化剂在苯甲醛选择加氢制备苯甲醇反应中比单金属催化剂具有更好的活性和选择性.Au、Pd粒子在载体上的分布对反应也有影响:相对于AuPd合金粒子,单独均匀分散的Au,Pd纳米粒子具有更高的催化活性和选择性:苯甲醛转化率98.0%时,苯甲醇选择性达97.0%
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近几年石油资源紧张,由甲醇制芳烃引起了人们广泛的关注,而ZSM-5分子筛被广泛应用于炼油产业中。因此,本文采用原位合成法制备传统单金属芳构化Zn-ZSM-5催化剂,再采用浸渍法引入第二改性金属组分Ag,制备出Ag/Zn-ZSM-5双功能MTA催化剂。采用XRD、SEM、元素分析等对催化剂进行表征。在固定床反应装置上考察催化剂的甲醇芳构化性能。结果显示,Ag/Zn-ZSM-5双功能催化剂比单独Zn或
配体包裹的金胶,许多工作都研究了纳米粒子-配体系统相关的物理和化学效应。其中,纳米粒子-配体所形成的化学键尤其重要,因其与金胶的许多不同寻常的性质有关,包括磁性和库伦阻塞效应屏蔽等。烷基硫醇是包裹金胶最常用的配体,且大多在颗粒表面通过Au-S共价键形成自组装。
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ZnO 是一种宽带隙的半导体材料,在结构和性质上有激子束缚能高、无毒、无害等很多优点,受到研究者的青睐。但是,自ZnO 被作为光电半导体材料研究以来,p 型掺杂一直是没有完全克服的难题,而N 作为一种良好的掺杂元素,一直也是大家关注的焦点。
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三维拓扑绝缘体是近年发现的一类新奇的量子态物质,它首先是一种普通的能带型绝缘体,同时还具有一个时间反演保护的狄拉克锥位于带隙中。另外,近来发现的拓扑绝缘体材料都是窄带隙半导体,所以,拓扑表面态的输运研究就成为近年来半导体物理关注的热点之一。
基于电阻开关效应(RS effect)的电阻型随机存储器(RRAM)具有高速度、高密度、低功耗等优点,近年来引起了人们的广泛关注。在众多物理模型中,导电细丝模型被广泛接受,信息存储通过导电细丝的形成和断裂引发的两个电阻态来实现。
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