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东亚飞蝗光谱研究初报
【机 构】
:
北京农业大学
【出 处】
:
北京昆虫学会成立四十周年学术讨论会
【发表日期】
:
1990年期
其他文献
利用深能级瞬态谱的方法可以了解半导体材料中深能级的信息,缺点是不能检测肖特基二极管中少子的陷阱能级。ODLTS法可以克服这一缺点。因此特别适用于检测不易做成P-n结的Ⅱ—