【摘 要】
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本文采用超声雾化喷涂工艺制备SnO2透明导电薄膜,反应溶液为SnCl4水溶液,选用F和Sb作为掺杂元素,通过改变掺杂量、衬底温度等工艺参数,要求获得薄膜方块电阻在10Ω/□-50Ω/□范围内,膜厚为100nm的n型Sn02薄膜,n+-SnO2/n-Si同型异质结Voc≥350mV.并研究了在一定温度下SnO2薄膜R/□、Voc与溶液配比的关系,以及在一定掺杂条件下SnO2薄膜R/□、Voc与温度的
【机 构】
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云南师范大学太阳能研究所,云南省农村能源工程重点实验室,昆明,650092
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本文采用超声雾化喷涂工艺制备SnO2透明导电薄膜,反应溶液为SnCl4水溶液,选用F和Sb作为掺杂元素,通过改变掺杂量、衬底温度等工艺参数,要求获得薄膜方块电阻在10Ω/□-50Ω/□范围内,膜厚为100nm的n型Sn02薄膜,n+-SnO2/n-Si同型异质结Voc≥350mV.并研究了在一定温度下SnO2薄膜R/□、Voc与溶液配比的关系,以及在一定掺杂条件下SnO2薄膜R/□、Voc与温度的关系.
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