【摘 要】
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本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材制备了氧化铟锡透明导电薄膜.研究了衬底温度对其表面形貌和光电特性的影响.在衬底温度为200℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜电阻率为2.5×10-4Ω·cm、可见光波段(360～750nm)透过率为88.5﹪,适合用作异质结太阳电池的前电极和减反射膜.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京,100083 天津市红桥区河北工业大学(院部)信息功能材料研究所,天
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本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材制备了氧化铟锡透明导电薄膜.研究了衬底温度对其表面形貌和光电特性的影响.在衬底温度为200℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜电阻率为2.5×10-4Ω·cm、可见光波段(360～750nm)透过率为88.5﹪,适合用作异质结太阳电池的前电极和减反射膜.
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在氢气氛中对氮化硅薄膜进行不同时间快速热处理,测其退火后的厚度、折射率、红外吸收光谱及晶向的变化.结果发现退火后氮化硅薄膜变得致密,折射率升高,抗高氧化性能提高,并且退火时间长短对这些性能的变化没有影响.
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因为目前太阳电池硅芯片材料的短缺,以致于造成太阳电池上游材料成为厂商兵家必争之地.而由于太阳电池属于洁净能源之一,并且,太阳电池为取之不尽、用之不竭之能源.鉴于此诸多原因,本研究即利用再生晶圆作为太阳电池之材料,并藉由量测结果之特性分析来评估其可行性,使得太阳电池硅芯片材料短缺之情况能有所突破.
用等离子体化学气相沉积(PECVD)法通过改变硅烷与氨气的流量比沉积氮化硅薄膜,用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、反射谱测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、Si/N、氢含量、反射率.实验发现,在沉积温度350℃,沉积时间5min,[SiH4:N2]/[NH3]=4∶1时,沉积氮化硅后硅片高寿命、氢含量高钝化效果好、反射率低.在退
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本文利用中频磁控溅射方法制备ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了溅射功率对ZAO薄膜电学、光学以及绒面表面形貌的影响,获得了适合太阳电池的高性能薄膜,其电阻率为4.6×10-4Ωcm,可见光范围内的平均透过率大于85﹪,低功率条件下制备的绒面ZAO薄膜具有较好的表面形貌.
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