【摘 要】
：
本文利用Al-Zn镀层中某一元素的荧光采集强度变化与镀层重量的关系,建立了镀层重量分析工作曲线,摸索出一种能够快速、准确分析镀层重量的实验方法。经过大量样品的实际测试,得到的X荧光与化学法数据比对结果说明,采用XRF可以测定镀Al-Zn板的镀层重量,能够满足Al-Zn镀层检验需要。
【机 构】
：
唐山钢铁股份有限公司技术中心,唐山 063016
【出 处】
：
2008年国际冶金及材料分析测试学术报告会
论文部分内容阅读
本文利用Al-Zn镀层中某一元素的荧光采集强度变化与镀层重量的关系,建立了镀层重量分析工作曲线,摸索出一种能够快速、准确分析镀层重量的实验方法。经过大量样品的实际测试,得到的X荧光与化学法数据比对结果说明,采用XRF可以测定镀Al-Zn板的镀层重量,能够满足Al-Zn镀层检验需要。
其他文献
在某工程中塔位移动后，实测到某铁塔接地装置的工频接地电阻值大于规程要求值，对此进行分析计算，采用既经济又简单实用的水平方框和垂直接地极相结合的复合接地装置，解决工程中因接地装置敷设场地小而使工频接地电阻不满足规程要求的问题。
国外运行经验表明交流特高压输电线路雷击跳闸率在总的跳闸率占较大比重，且绕击跳闸率远大于反击跳闸率。本文基于长空气间隙的放电理论建立了雷电屏蔽的先导发展模型，并利用该模型计算了拟建立的云广±800kV直流特高压输电线路雷电屏蔽性能。计算结果表明：随着地面倾角的增加、保护角的增加，线路屏蔽失效率明显增加，特高压输电线路最好采用负保护角运行。
本文基于特高压输电系统对深度降低操作过电压水平的迫切需求和操作过电压常规限制方法在经济性和运行可靠性方面存在的不足，首次提出了操作过电压柔性限制方法的概念，对柔性限制方法中金属氧化物可控避雷器（简称可控避雷器）的原理进行了阐述。以我国目前正在建设的晋东南－南阳－荆门特高压交流试验示范工程为例，对采用可控避雷器降低操作过电压的效果进行了仿真计算。结果表明：在断路器无合闸电阻的情况下，仅用可控避雷器亦
为取得我国特高压交流输电线路的设计依据，结合晋东南至荆门百万伏级交流输变电示范工程，进行了交流变电设备的相间操作冲击电压特性研究。采用两台电压分别为5400kV 和3000kV的冲击电压发生器联合进行相间试验，通过适当调整时延实现相间试验时两台冲击同步。试验采用升降法获得5~9m距离的环、管型母线、四分裂导线相间操作冲击电压放电特性曲线，通过计算得到其相间操作冲击的间隙系数k，并分析电压分配系数α
ZnO避雷器式故障限流器有望在电力系统中得到广泛应用，但同时也会使接地距离保护的测量阻抗改变，造成继电器的不正确动作；另外故障过渡电阻对接地距离保护的影响也不可忽视。为了消除这两方面的影响本文提出了在不改变继电器阻抗圆特性前提下的一种距离保护补偿算法，并将ZnO避雷器式故障限流器的暂态模型串入线路得到了单端电源系统和双侧电源系统发生单相接地故障时的复合序网。用PSCAD/EMTDC软件得到的仿真结
本文采用Fe粉、Al粉及TiC硬质颗粒等的混合粉料,利用火焰喷涂加感应重熔的方法得到TiC增强Fe-Al金属间化合物复合涂层,涂层中TiC颗粒含量为15％(质量分数)。用X射线衍射仪(XRD)测定复合涂层的物相组成，用扫描电子显微镜(SEM)观察复合涂层的微观形貌,涂层中出现了TiC增强Fe-Al金属间化合物区,TiC硬质颗粒在Fe-Al金属间化合物中呈短线状分布，并用维氏硬度计测得复合涂层的显微
本文介绍了辉光放电(GD)光谱仪及其激发源的结构、原理及特点，介绍了射频辉光放电与低压电感耦合等离子体(ICP)联用增强激发源的结构、原理。设计的GD-ICP增强光源在200 Pa氩气氛围下工作,GD溅射部分用60W/13.56MHz供能,ICP增强部分用300W/13.56MHz供能,实际测试锌合金标样中Al(Ⅰ)-396.1 nm的光谱信号,加ICP增强后的光谱信号强度是仅用GD激发时的2～3
本文比较了乙基黄原酸钠、异丁基黄原酸钠、SN9＃、酯—105、丁基三硫代碳酸钠和抑制剂在药剂存储、选矿过程、精矿及排放到尾矿等过程中CS2的释放情况。结果表明,各种含硫选矿药剂在存储、使用、排放到尾矿全过程都在向环境释放二次污染物CS2,进入大气环境的CS2多成为人为大气硫源的一部分。
本文选取了乙基黄原酸钠、异丁基黄原酸钠、乙硫氮和丁基三硫代碳酸钠四种具有代表性的含硫捕收剂,模拟了药剂在选矿车间的使用过程。研究证明无论在配药,还是在选矿过程中,这些药剂都不稳定,均有二次污染物(CS2)放出,车间内CS2的浓度已超出了相关国家标准的规定,应引起关注。
运用俄歇电子能谱仪(AES)对含稀土高温合金在1100 K下的表面偏聚行为进行了原位分析。结果显示，Mo在合金表面发生贫化,S在合金表面发生富集。运用离子溅射获得了Mo,S的含量深度分布曲线.Mo的含量深度分布曲线显示,Mo在表面贫化而在亚表面富集,S的含量深度分布曲线表明,S只在表面几个原子层富集。