【摘 要】
：
近年来,由于氧化物薄膜晶体管(TFT)具有迁移率高、均匀性好、对可见光透明以及成本低等诸多优点广泛被应用于平板显示领域如有源矩阵液晶显示(AMLCD)和有源矩阵发光二极管(AMOLED).经过十多的发展,氧化物TFT的性能得到很大程度的地提高,其迁移率、电流开关比、阈值电压等方面的性能已经基本满足驱动AMLCD和AMOLED的需要.但高清、柔性显示时代的到来,对氧化物TFT的性能提出了更高的要求和
【机 构】
：
发光材料与器件国家重点实验室,华南理工大学材料科学与工程学院,广州 510640
【出 处】
：
第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
论文部分内容阅读
近年来,由于氧化物薄膜晶体管(TFT)具有迁移率高、均匀性好、对可见光透明以及成本低等诸多优点广泛被应用于平板显示领域如有源矩阵液晶显示(AMLCD)和有源矩阵发光二极管(AMOLED).经过十多的发展,氧化物TFT的性能得到很大程度的地提高,其迁移率、电流开关比、阈值电压等方面的性能已经基本满足驱动AMLCD和AMOLED的需要.但高清、柔性显示时代的到来,对氧化物TFT的性能提出了更高的要求和挑战.本文成功制备了基于锆掺杂的氧化铟(ZrIn0)半导体有源层的TFT。图1为TFT结构示意图，其中栅极为室温下通过磁控溅射制备的铝钕合金(Al-Nd)，栅绝缘层为阳极氧化制备的Al203:Nd,有源层ZrIn0在室温下通过直流磁控溅射沉积，ITO源、漏电极在室温下通过磁控溅射沉积，无后退火处理，TFT器件的整个制备过程均在室温下进行。
其他文献
硅上AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高压功率器件中具有重要的应用前景.然而,由于器件高压过程中载流子的俘获效应,GaN基器件的可靠性仍存在问题.关态工作条件下,HEMT器件的栅漏之间存在较大的电压,从栅极注入的电子容易被表面、AlGaN势垒层、甚至GaN缓冲层中的缺陷俘获,造成电流崩塌效应或阈值电压漂移等可靠性问题.开态条件下,二维电子气沟道中的电子通过高场加速获得较高的能量,演
相比于传统的硅基MOSFET,基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)具有低导通电阻、高击穿电压、高开关频率等独特优势,从而能够在各类电力转换系统中作为核心器件使用,在节能减耗方面有重要的应用前景,因此受到学术界、工业界的极大重视.然而,由于Ⅲ族氮化物材料体系的极化效应,一般而言,基于AlGaN/GaN异质结的HEMT均是耗尽型(常开),该类型的器件应用于电路级系统中时,需要设
AlGaN/GaN HEMTs are attracting considerable attention as high temperature,high-power and high-frequency devices for radar,avionics and wireless base-station transmitters,thanks to the unique material
GaN-based metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors (MIS-HEMTs)have become increasingly attractive in power switching applications thanks to the lower gate leakage current and l
作为新型半导体材料功率器件的代表,碳化硅双极结型晶体管(SiCBJT)相较硅基晶体管有许多独特的优势,如高电流增益、优良的耐高温可靠性、制作工艺简单以及无碳化硅栅氧可靠性问题,在军用以及日常应用中有着广泛的应用前景.但其作为电流型器件,即使在较大的电流增益系下,SiCBJT的驱动损耗仍然不可忽略.为了节省驱动功耗，一系列的驱动方式被使用。本文提出了一种SiCBJT的新型自适应驱动，通过建立从集电极
共振隧穿二极管(RTD)是极具发展潜力的新型纳米器件,在高频振荡器、和高速数字电路等方面有着广阔的应用前景.GaN负阻器件同传统的GaAs负阻器件相比具有更高的工作频率和输出功率,可以达到102～103mW.相对于已报道的AlGaN/GaN材料体系,In组分为17％的InAlN与GaN晶格匹配,可减小异质结界面处的晶格失配、界面粗糙度和压电极化,从而降低陷阱中心的激活能和缺陷密度,改善在多次扫描下
本文利用脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)的方法,通过调控AZO薄膜的衬底温度和氧分压,获得方阻为17.03Ω/sq的高导电率AZO薄膜.详细研究了衬底温度和氧分压对AZO薄膜电阻率的影响.如图1所示,结果表明:在不通氧气时,AZO薄膜电阻率随衬底温度升高而降低,而在氧气氛围中,该趋势正好相反.AFM测试表明,在无氧的氛围中,衬底温度增加改善了AZO薄膜粗糙度,
面向量子器件实用化和集成化的发展趋势,基于半导体量子点的全固态器件方案是实现单光子源的理想选择.在这方面,国际上有很多研究组进行该方面的研究.到目前为止,已有利用InAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InP/GaInP和CdSe/ZnSe等量子点实现单光子发射的实验报道.然而,InAs、GaAs、InP材料的室温激子束缚能却相对较小,分别为1meV、3.6meV和4.8meV,因此低温工作也
声表面波(Surface Acoustic Wave,SAW)器件是射频滤波、信号延迟、脉冲压缩等,是无线通讯、导航等领域中信号处理技术的核心元件之一,具有插入损耗低、阻带抑制比高、带宽较宽的优点,而且制作工艺简单,制作成本低,便于集成.SAW传感器还可用于气体传感、物质识别和定量分析,在医疗、生物、材料分析领域有广阔的应用前景.本研究采用在蓝宝石上用分子束外延生长的高质量AIN单晶薄膜和Ti/A
作为新型的纳米结构,二维ZnO纳米墙网络具有较高的表面体积比,这非常有利于光子的逃逸和热量的散射,因此其作为发光层应用于LEDs和LDs有其先天的优势.基于此,首先系统地开展了二维ZnO纳米墙网络结构在可控制备、生长机制及其光学特性方面的研究,并通过构建n-ZnO纳米墙网络/p-GaN异质结器件验证该纳米结构材料作为发光层的应用可行性.实验发现,所制备的器件表现出优良的发光性能,在直流驱动(12.