【摘 要】
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采用RF-PECVD方法，以硅烷(SiH4)为反应气体，乙硼烷(B2He)为掺杂气体，经氢气稀释后在玻璃衬底上沉积p型氢化非晶硅(a-si：H)薄膜。用XRD和拉曼光谱分析薄膜的微观结构，采用日本岛津的(UV-Vis1601)紫外-可见光分光光度计测试薄膜样品的透过率，利用NKD-7000w光学薄膜分析系统拟舍得出薄膜的吸收系数和厚度，利用Tauc法计算薄膜的光学带隙。利用Keithley 651
【机 构】
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武汉理工大学硅酸盐工程教育部重点实验室,武汉 430070 江苏秀强玻璃工艺股份有限公司,宿迁 2
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采用RF-PECVD方法，以硅烷(SiH4)为反应气体，乙硼烷(B2He)为掺杂气体，经氢气稀释后在玻璃衬底上沉积p型氢化非晶硅(a-si：H)薄膜。用XRD和拉曼光谱分析薄膜的微观结构，采用日本岛津的(UV-Vis1601)紫外-可见光分光光度计测试薄膜样品的透过率，利用NKD-7000w光学薄膜分析系统拟舍得出薄膜的吸收系数和厚度，利用Tauc法计算薄膜的光学带隙。利用Keithley 6517B静电计测试薄膜的电导率。
结果表明，随着沉积功率的增大，薄膜透射谱线的吸收边先红移后蓝移，薄膜的吸收系数减小，光学带隙先增大后减小，最宽光学带隙为2.0eV;薄膜的沉积速率在180 w左右时趋于稳定，约为2.0 nm/min，薄膜最大电导率为3.9×10-3S/m。
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多线切割过程中的碳化硅在油性悬浮液中的分散性，决定着硅片的质量及切割过程中的稳定性，通过对PEG分子结构和键能的研究，强极性键使整个PEG为高度极化分子，在极性键中最容易失去-OH中的H，和表面配位不足而产生极性电荷碳化硅进行结合。碳化硅的等电点在pH=3.9附近，当砂装的pH值在不同的范围，碳化硅表面的电荷类型和电荷密度不同，从而PEG对碳化硅的饱和吸附量将出现差别。影响PEG对碳化硅的饱和吸附
根据A.D.Johns和C P.Underwood总结的组件散热模型，利用Visual BASIC模拟平台，对双玻组件和中空组件在低辐照下的性能进行模拟和分析。该平台可模拟辐射强度、环境温度、风速等因素，并时BIPV组件在低辐射时的电性能差异和工作温度进行分析。结果表明：①在温度表现方面，中空组件的工作温度比双玻组件平均高6.24 K，而在低辐射下两种组件温度相差不多;②在电性能方面，高辐射下(>
在多线切割中，砂浆密度关系到砂浆能力。将槽距，装载量，片厚。新碳化硅和新悬浮液密度等设定为恒量，通过模拟计算发现砂浆密度的变化趋势和砂浆缸里面硅粉含量的变化趋势一致，在基础设置数据的基础上，发现在切割至第5刀时砂浆密度以很小的幅度增加。通过对数据的回归分析，得出砂浆密度计算公式。影响砂浆密度的主要因素有：槽距、单位面积更换系数、新砂浆配置密度。控制砂浆密度在合理的范围内，可保证切割过程的稳定性及硅
本论文涉及直拉单晶炉，炉内热场设计，以及热场模拟。通过对热场部件：炉底盘及外导流筒重新设计并且通过热场模拟软件验证效果后，展开实验，结果表明使用改造过的炉底盘和新型外导流筒，单晶生产能耗有大幅下降，达到25.4％的节能效果。
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