【摘 要】
：
根据A.D.Johns和C P.Underwood总结的组件散热模型，利用Visual BASIC模拟平台，对双玻组件和中空组件在低辐照下的性能进行模拟和分析。该平台可模拟辐射强度、环境温度、风速等因素，并时BIPV组件在低辐射时的电性能差异和工作温度进行分析。结果表明：①在温度表现方面，中空组件的工作温度比双玻组件平均高6.24 K，而在低辐射下两种组件温度相差不多;②在电性能方面，高辐射下(>
【机 构】
：
河海大学机电工程学院,常州 213022 常州天合光能有限公司,中国常州 213031
论文部分内容阅读
根据A.D.Johns和C P.Underwood总结的组件散热模型，利用Visual BASIC模拟平台，对双玻组件和中空组件在低辐照下的性能进行模拟和分析。该平台可模拟辐射强度、环境温度、风速等因素，并时BIPV组件在低辐射时的电性能差异和工作温度进行分析。结果表明：①在温度表现方面，中空组件的工作温度比双玻组件平均高6.24 K，而在低辐射下两种组件温度相差不多;②在电性能方面，高辐射下(>200 W/m2)，双玻组件发电功率平均比中空组件高出19.59％，低射照下(<200W/m2)，双玻组件发电功率平均比中空组件低14.63％。该模拟结果与试验实测结果接近一致。
其他文献
本文从表面等离子激元对叠层电池电学特性影响方面入手，研究了纳米Ag颗粒表面等离子激元对np隧穿结电阻的影响问题。采用20nm微晶n层/20 nm微晶p层的测试结构对模拟叠层电池np隧穿结特性进行模拟，并在其中引入纳米Ag颗粒作为中间层。通过对np结构与n/interlayer/p结构的光态及暗态I-V特性对比分析表明：叠层电池中的np隧穿结具有良好的欧姆接触特性，能够形成载流子的有效隧穿复合;在n
针对太阳电池存在带隙限制不能吸收利用太阳光谱中近红外的长波低能光子，提出利用多种稀土离子共同掺杂，实现太阳电池用宽谱域上转换材料的设计与合成。并且考虑到材料的发光效果和材料尺寸大小的关系，制备出了不同稀土离子掺杂的微米级上转换材料。最后提出了一种可以检测上转换材料在电池中应用效果的装置，并且通过该装置考察了制备上转换材料在电池中的应用效果，为加深第3代太阳电池的研究奠定了很好的基础。
用AMPS1D软件模拟计算了CdTe薄膜电池中背接触层的结构和掺杂水平等因素对电池性能的影响。引入ZnTe或Cd1-χZnχTe复合背接触层都会在电池背接触区域形成一个与pn结方向相同的电场，从而提高空穴的收集效率并反射电子，改善器件性能。ZnTe：Cu薄膜的Cu浓度在5％～7.5％之间均可获得15.4％以上的电池效率。应用Zn组分为0.6的Cd1-χZnχTe薄膜能最大限度地降低界面态，明显提高
本文研究了染料敏化太阳电池光电转换效率与敏化剂分子、电子结构及谱学性质之间的关联，设计出了系列新型卟啉、酞菁和联吡啶钌敏化剂候选体，分析表明其中有数种设计方案均有希望突破相应类型敏化剂敏化电池光电转换效率的世界纪录。对目前用做标准染料的高效敏化剂N3和N719的合成路线进行了优化改进，新路线经济、环保，更有利于实现工业化生产。
单源真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜。用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的相结构进行表征，研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理条件对薄膜的结构、导电类型的影响。XRD分析给出：最有效的S的原子配比为X=1.2，可得到黄铜矿结构的CuInS2薄膜，沿(112)晶向择优生长。实验结果显示：合理改变热处理条件，可获得不同导电类型的CuInS2薄膜，同样用Cu：In：S=1：0.1：1.2原子
硅单晶生产企业需要从市场购买多晶硅作为原料。然而，使用购进的免洗多晶硅来拉制单晶时，由于熔体表面有浮渣，使得单晶断棱，成品率不高，必须自己重新酸洗才能用于拉晶。本文通过大量实验工作，发现由于一些多晶硅块上有裂纹和深缝，其中内藏的残酸难以漂洗干净，拉晶时残留酸会与石英坩埚壁起化学作用，使坩埚析晶，产生浮渣，是影响成晶的主要原因。建议多晶硅生产企业采用水淬法来破碎长硅棒，就可有效避免裂纹。同时也建议多
本文介绍一种已研发成功的便携式聚光型硅基太阳能电池组件性能测试系统，阐述其组成结构及工作原理。该系统以Agilent34970A仪器为数据采集核心，集成了各种不同类型模块化的传感器，实现了在低倍聚光下电池组件多路温度信号、电信号及太阳辐照度的同步在线测量，并结合相应的上位机软件实现了虚拟测量的功能。实验结果表明，该系统提高了聚光下光伏电池组件性能参数测量的效率，达到了设计要求，相关数据为低倍聚光光
Cz法仍然是当今生长单晶硅的主要方法，而热场是其核心组成部件之一。保温性能、长晶速率及晶体质量是衡量热场结构优劣的主要指标。作者借助于计算机仿真技术，对现有热场结构进行了模拟分析和优化。通过对加热器、热屏及保温材料结构、性能的分析，得出以下结论：加热器结构优化后，可改善熔体中的温度分布，降低与石英坩埚接触的熔体温度，从而减少了石英坩埚与熔体反应导入到熔体中的氧含量;热屏和保温材料结构优化后，增强了
太阳能硅片的表面损伤层，关系到切割后破片比例，绒面的形状，转换效率等。通过对硅片表面SEM分析，发现硅片表面呈蜂窝状，有大孔、小孔和微孔。硅片侧面边缘呈山峰山沟状，并伴随有裂纹，从外向里分为表面镶嵌层和缺陷应力层。通过对硅片表面损伤的形成杌理研究，发现通过以下调整可以减小表面损伤：一是减小切割时的晶体所受到的垂直压力;二是调整碳化硅的直径分布系数，圆度系数，堆积密度。减小硅片的损伤层，减小切割后的
多线切割过程中的碳化硅在油性悬浮液中的分散性，决定着硅片的质量及切割过程中的稳定性，通过对PEG分子结构和键能的研究，强极性键使整个PEG为高度极化分子，在极性键中最容易失去-OH中的H，和表面配位不足而产生极性电荷碳化硅进行结合。碳化硅的等电点在pH=3.9附近，当砂装的pH值在不同的范围，碳化硅表面的电荷类型和电荷密度不同，从而PEG对碳化硅的饱和吸附量将出现差别。影响PEG对碳化硅的饱和吸附