【摘 要】
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宽禁带半导体具有高击穿场强和高载流子饱和速度等优势, 宽禁带半导体GaN和SiC已经成为制造新一代高性能功率器件的重要材料,在新一代无线通信、雷达、卫星等领域具有巨
【机 构】
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西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,西安710071
【出 处】
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2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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宽禁带半导体具有高击穿场强和高载流子饱和速度等优势, 宽禁带半导体GaN和SiC已经成为制造新一代高性能功率器件的重要材料,在新一代无线通信、雷达、卫星等领域具有巨大的应用前景和优势。尤其是近20多年来,宽禁带半导体功率器件取得了飞速的发展,GaN功率器件已经获得了输出功率密度高于40 W/mm、单管脉冲输出功率1000W以上、功率附加效率90％以上等令人振奋的性能指标。随着近几年可靠性问题的初步解决,GaN功率器件已经开始进入应用领域。
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