论文部分内容阅读
Dichotomy of Electronic Structure and Superconductivity between Single-Layer and Double-Layer FeSe/S
【作 者】
:
【机 构】
:
National Lab for Superconductivity,Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics,Institut
【出 处】
:
中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
:
2013年11期
其他文献
ZnO 是一种宽带隙的半导体材料,在结构和性质上有激子束缚能高、无毒、无害等很多优点,受到研究者的青睐。但是,自ZnO 被作为光电半导体材料研究以来,p 型掺杂一直是没有完全克服的难题,而N 作为一种良好的掺杂元素,一直也是大家关注的焦点。
会议
三维拓扑绝缘体是近年发现的一类新奇的量子态物质,它首先是一种普通的能带型绝缘体,同时还具有一个时间反演保护的狄拉克锥位于带隙中。另外,近来发现的拓扑绝缘体材料都是窄带隙半导体,所以,拓扑表面态的输运研究就成为近年来半导体物理关注的热点之一。
基于电阻开关效应(RS effect)的电阻型随机存储器(RRAM)具有高速度、高密度、低功耗等优点,近年来引起了人们的广泛关注。在众多物理模型中,导电细丝模型被广泛接受,信息存储通过导电细丝的形成和断裂引发的两个电阻态来实现。
Excitonic characteristics of wurtzite InGaN staggered quantum wells for light-emitting diode applica
Recently,Ⅲ-nitride materials systems have attracted much attention as the active region for light emitting diodes(LEDs)due to their good light-emitting efficacy.
Nearly Constant Electrical Resistance over Large Temperature Range in Interstitially Doped Cu3NMx(M=
Thin films of Cu3NMx(M=Cu,Ag,Au)compounds were grown by magnetron sputtering of metal targets in nitrogen atmosphere,aiming at obtaining single solids of nearly constant electrical resistance in a lar
Topological insulators(TIs),a new state of quantum matter,have recently attracted significant attention,both for their fundamental research interest and for their potential device applications [1–2].
In recent years,wurtzite GaN and related Ⅲ–V compound semiconductors have attracted considerable attention in high-brightness light-emitting diodes(LEDs)and laser diodes(LDs)emitting from the green to
硅材料在半导体产业中具有广阔的应用前景和市场价值.但是,由于硅作为间接带隙半导体材料,其本征跃迁发光效率很低.如果可以提高硅基材料的发光效率——尤其是1.5 μm 附近的光通信波段的发光效率,则对于光互连与光集成都起到积极的作用.
自发现以来[1],高温超导电性问题经过了20多年的实验和理论研究的积累,目前在理论、实验、模拟上都处于研究汇总和研究方向转变的时期。尽管人们己经对高温铜氧化物超导体进行了大量的研究,但是最基本的一些物理问题依然没有得到明确的结论。