【摘 要】
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本文运用传输线方法(TLM)测量了P型GaN的合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和P型GaN接触处的电流密度与电压(j-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对P型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析,进一步得出势垒高Φb=0.41ev,受主浓度Na=4×1019cm-3,能带弯曲Vi=0.26V,和EF-EV=0.15eV.
【机 构】
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北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院,100871
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文运用传输线方法(TLM)测量了P型GaN的合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和P型GaN接触处的电流密度与电压(j-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对P型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析,进一步得出势垒高Φb=0.41ev,受主浓度Na=4×1019cm-3,能带弯曲Vi=0.26V,和EF-EV=0.15eV.这些结果与理论值和其它实验结果符合得很好。
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