PbSe薄膜相关论文
本文采用分子束外延生长了非人为掺杂的PbSe单晶薄膜,研究了薄膜中声子散射对空穴迁移率的影响.霍尔效应和电阻率测量得到PbSe薄膜......
PbSe是一种结构特殊的化合物半导体材料,具有窄带隙,较大激子波尔半径,高的载流子迁移率和较大的介电常数等,其在红外范围内具有优......
采用分子束外延方法在 Si(111)衬底上生长了 Pb Se/ Ba F2 / Ca F2 薄膜 ,扫描电镜和 X-光衍射分析显示 ,通过生长 Ba F2 / Ca F2 ......
通过脉冲激光沉积（PLD）法在Si（111）和SiO2玻璃基片上制备了PbSe薄膜。X射线衍射、X射线能谱、原子力显微镜、傅里叶变换红外光谱仪测试......
本文利用射频磁控溅射法在200℃的玻璃衬底上沉积了纳米晶PbSe薄膜，薄膜厚度分别为200nm、250nm、500nm及600nm。利用X射线衍射仪（XR......
采用分子束外延技术生长了非人为掺杂的PbSe单晶薄膜,研究了薄膜中声子散射对空穴迁移率的影响.并用霍尔效应和变温电阻率测量方法......
采用分子束外延方法在Si(111)衬底上生长了PbSe/BaF2/CaF2薄膜,扫描电镜和X-光衍射分析显示,通过生长BaF2/CaF2缓冲层的方法,在Si(......
采用中频磁控溅射技术制备了PbSeIn和PbSeTe两种掺杂PbSe薄膜,并采用理论模拟与实际实验相结合的方法研究了In和Te两种元素的掺杂......
采用化学液相沉积方法在醋酸铅溶液体系中制备了厚度在微米量级的PbSe薄膜,通过扫描电镜、X射线衍射和红外光谱分析等测试手段研究......
PbSe薄膜作为一种窄禁带半导体材料，因其具有优异的室温光电敏感性和响应度而被广泛用于制造硒化铅红外探测器。本文归纳和总结了Pb......
本论文主要包括两方面的内容:（1）用脉冲激光沉积法（PLD）法在不同的基片上制备了窄禁带半导体PbSe薄膜,系统地研究了制备工艺参数对薄膜......
