【摘 要】
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本文采用阈值电压漂移量△Vth作为器件寿命评价的标准,研究了PMOSFET中NBTI效应的寿命。结果表明,影响PMOSFET的NBTI寿命的因素主要有：应力时间t,应力温度T,负栅压应力Vgs,器件结构参数如沟道宽度W,沟道长度L。基于试验测量的结果,得到了阈值电压漂移量△Vth的寿命评价表达式,用来预测器件中由NBTI效应限制的寿命。
【机 构】
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广东工业大学材料与能源学院,广州 510006 信息产业部电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州 510610
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本文采用阈值电压漂移量△Vth作为器件寿命评价的标准,研究了PMOSFET中NBTI效应的寿命。结果表明,影响PMOSFET的NBTI寿命的因素主要有：应力时间t,应力温度T,负栅压应力Vgs,器件结构参数如沟道宽度W,沟道长度L。基于试验测量的结果,得到了阈值电压漂移量△Vth的寿命评价表达式,用来预测器件中由NBTI效应限制的寿命。
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