【摘 要】
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纳米线的性能强烈依赖于它的结构，包括晶体结构、晶向、直径及内部缺陷等。理解结构与性能的关系是发展基于纳米线的新型纳米器件的关键之一。我们发展了一种方法，可以在电学特性测量后把作为场效应晶体管沟道的纳米线转移到透射电镜中进行原子尺度结构表征。利用该方法，我们研究了InAs 纳米线及其场效应晶体管的电学特性与纳米线的晶体结构(纤锌矿结构或闪锌矿结构)、晶体取向、纳米线直径的关系，发现了场效应晶体管的阈
【机 构】
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纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京大学信息科学技术学院电子学系,北京,100871
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纳米线的性能强烈依赖于它的结构，包括晶体结构、晶向、直径及内部缺陷等。理解结构与性能的关系是发展基于纳米线的新型纳米器件的关键之一。我们发展了一种方法，可以在电学特性测量后把作为场效应晶体管沟道的纳米线转移到透射电镜中进行原子尺度结构表征。利用该方法，我们研究了InAs 纳米线及其场效应晶体管的电学特性与纳米线的晶体结构(纤锌矿结构或闪锌矿结构)、晶体取向、纳米线直径的关系，发现了场效应晶体管的阈值电压、电流开关比、亚阈值摆幅及有效势垒高度和纳米线的载流子浓度、载流子迁移率及电导率随上述结构参数的变化规律。我们的结果为发展高性能电子器件提供了参考。另外，我们利用扫描电镜中的原位测量方法发现了InAs 纳米线的明显压电和压阻特性，结合对同一根纳米线的透射电镜表征，我们发现只有纤锌矿结构<0001>方向的InAs 纳米线有上述性能。
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