【摘 要】
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本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高SiGe HBT抗单粒子性能的方法.利用半导体器件模拟工具,针对加固前后的SiGe HBT开展了单粒子效应仿真模拟,分析了伪
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐市北京南路40-1号,830011
【出 处】
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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
论文部分内容阅读
本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高SiGe HBT抗单粒子性能的方法.利用半导体器件模拟工具,针对加固前后的SiGe HBT开展了单粒子效应仿真模拟,分析了伪集电极对SiGe HBT电荷收集机制的影响,结果表明,引入的伪集电极形成的新的集电极－衬底结具有较大的反偏能力,加固后SiGe HBT的伪集电极通过扩散机制,大量的收集单粒子效应产生的电荷,有效地减少了实际集电极的电荷收集量,发射极、基极电荷收集量也有不同程度的降低,加固设计后SiGe HBT的单粒子效应敏感区域缩小,从而有效地提高了SiGe HBT器件抗单粒子效应辐射性能.此项工作的开展为SiGe HBT电路级单粒子效应抗辐射加固设计打下良好的基础.
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