电离损伤相关论文
电荷耦合器件（charge couple devices,CCD）是一种MOS结构的光电转换式图像传感器,具备成像、数据处理和通信等功能。由于其具有低噪......
为评估互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)的辐照损伤效应,在西安200 MeV质子应用装置上,首次开展了 65 nm工艺PPD CIS负......
质子辐照诱发电荷耦合器件(CCD)中的暗信号。建立了质子辐照电离损伤的辐射效应模型,通过应用半导体器件仿真软件MEDICI进行数值模......
为评估CCD在高能质子辐照条件下的损伤效应,在西安200 MeV质子应用装置上开展了200 MeV质子辐照CCD的实验研究,在辐照注量为1×101......
X射线探测器是提高X射线脉冲星导航系统精确度的关键器件,传统的X射线探测器已经不能够满足X射线脉冲星导航系统对于高精度的要求,......
研究目的:放射治疗是食管癌(Esophageal cancer)的主要治疗手段之一,但仍有部分患者存在放疗抵抗现象,影响治疗效果;核因子E2相关......
光电耦合器(简称光耦)是一种由发光二极管和光敏三极管耦合而成的光电器件,主要用来实现系统的光电隔离功能。作为航天器信号传输......
对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3MeV、10MeV两种质子能量下的辐射效应和损伤特性进行了研究,并且将质子辐射损伤效应与50r......
本文以不同钝化工艺的PNP型晶体管作为研究对象，基于剂量率为100rad(Si)/s和10mrad(Si)/s的60Coγ射线辐照，采用电性能测试和深能级......
本文以60Coγ射线作为辐照源，采用100rad(Si)/s和10mrad(Si)/s两种不同辐照剂量率。针对基区表面掺杂浓度不同的NPN型双极晶体管，通......
介绍核径迹标识@周小雯 @张家柱
Introduction of nuclear track mark @ Zhou Xiaowen @ Zhang column...
多聚(ADP-核糖)聚合酶(PARP)是广泛存在于细胞内的一种具有蛋白修饰和核苷酸聚合作用的聚合酶,参与细胞DNA损伤后的修复过程.已经......
提出低能带电粒子辐照下石英玻璃非弹性电离损伤的物理模型和速率方程,给出了电离效应产生带电离子、电子浓度的解析表达式.讨论了......
利用电子顺磁共振(EPR)技术测量了(100)晶向硅衬底材料上制作的MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁(EPR)吸收谱,对比了电子......
研究了集成运算放大器在γ辐射环境下的效应。发现经受一定剂量的γ辐射后，双极型集成运算放大器的Vio、Iio、IB+、IB-等电参数明显......
一方面介绍了利用线性响应理论能够预估MOS器件空间低剂量率的辐射响应,并得出在相同偏压下,高剂量率辐照加室温退火所引起的阈值......
ＣＭＯＳ运算放大器的质子和γ辐照效应陆妩任迪远郭旗余学锋严荣良（中国科学院新疆物理研究所，乌鲁木齐，８３００１１）本文主要研究了ＬＦ７６５０ＣＯＭＳ运放电路在４、７、３０ＭｅＶ质子及......
本文在分析轨道环境参数、地面模拟试验因素等影响的基础上,应用不同能量质子、电子、Br离子及Co-60 ?射线作为辐照源,研究了国产N......
针对不同基区表面掺杂浓度的NPN型晶体管,采用^60Coγ射线辐射源开展辐照实验,根据测得的电学参数及深能级瞬态谱,分析了NPN型晶体......
上世纪中期硅材料和硅晶体管的发明以及硅集成电路的研制成功开始,短暂的几十年中,半导体材料已经发展成为了21世纪信息社会高技术......
