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抗单粒子闩锁的标准单元设计

来源 :第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’) | 被引量 : 0次 | 上传用户：lwh020827

【摘 要】

：

单粒子闩锁SEL(Single Event Latchup)是最具破坏性的单粒子效应之一.本文介绍了SEL发生的原理,分析了抗SEL的关键技术,在此基础上,在商用0.18μm,1.8V CMOS工艺下对标准单元

【作 者】

：

方益 陈吉华 梁斌 

【机 构】

：

国防科技大学计算机学院 长沙 410073

【出 处】

：

第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’)

【发表日期】

：

2009年期

【关键词】

：

抗单粒子闩锁 标准单元 单粒子效应 保护环结构 Spice模拟 开销 加固设计 关键技术 破坏性 性能 商用 结果 基础 功耗 工艺 分析 CMOS 

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单粒子闩锁SEL(Single Event Latchup)是最具破坏性的单粒子效应之一.本文介绍了SEL发生的原理,分析了抗SEL的关键技术,在此基础上,在商用0.18μm,1.8V CMOS工艺下对标准单元进行了抗单粒子闩锁加固设计,提出了一种特殊的保护环结构.Spice模拟结果表明,加固后的功耗开销在21％以内,性能开销在10％以内,达到了预期的效果.

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