【摘 要】
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采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO薄膜,在N气氛下进行了不同温度的退火处理,分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性.对薄膜的结构进行了表征,通过XRD、XPS、FTIR谱分析说明样品的发光特性与其结构相对应,394nm的发光是由GeO缺陷引起的,580nm的发光与SiO(X<2)中的某种发光中心相联系.
【机 构】
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苏州大学物理系(江苏苏州) 中国科学院上海冶金所离子束开放实验室(上海)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO<,2>薄膜,在N<,2>气氛下进行了不同温度的退火处理,分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性.对薄膜的结构进行了表征,通过XRD、XPS、FTIR谱分析说明样品的发光特性与其结构相对应,394nm的发光是由GeO缺陷引起的,580nm的发光与SiO<,x>(X<2)中的某种发光中心相联系.
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