【摘 要】
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在室温下,140keV Zn分别沿GaN的沟道方向和随机方向注入,注入剂量分别为1×10cm和3×10cm.高分辨透射电镜的观察结果表明,在3×10cm注入剂量下,GaN的表面有纳米范围的碎晶和非晶和混合层形成,而在1×10cm沟道注入情况下,表面只有小角晶界出现.表面层以下则是含有大量缺陷的晶体层,并且聚焦点缺陷、线缺陷和位错环的浓度随深度的增加而减少.
【机 构】
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北京大学技术物理系(中国北京) Instituut voor Kern-en Stralingsf
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
论文部分内容阅读
在室温下,140keV Zn分别沿GaN的<0001>沟道方向和随机方向注入,注入剂量分别为1×10<16>cm<2>和3×10<16>cm<2>.高分辨透射电镜的观察结果表明,在3×10<16>cm<2>注入剂量下,GaN的表面有纳米范围的碎晶和非晶和混合层形成,而在1×10<16>cm<2>沟道注入情况下,表面只有小角晶界出现.表面层以下则是含有大量缺陷的晶体层,并且聚焦点缺陷、线缺陷和位错环的浓度随深度的增加而减少.
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