【摘 要】
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我们对ZnO材料及其发光器件研究已十余年,近年来又了开展A1N、InN材料制备研究。ZnO研究方面:我们自行设计加工了znO生长专用MOCVD系统,该系统直接采用O2气为氧源,不引入其他元素,有利于n型、p犁掺杂和载流子浓度的控制。为了克服DEZn预反应问题,该系统反应室安装了两个特殊设计的源喷枪,将O2和DEZn直接喷淋在衬底片上反应生长,不进行混气。同时为了解决ZnO材料p型掺杂问题,该MOC
【机 构】
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吉林大学集成光电子国家重点实验室电子科学与工程学院 长春 130012 大连理工大学物理与光电工程学院大连 116023
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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我们对ZnO材料及其发光器件研究已十余年,近年来又了开展A1N、InN材料制备研究。ZnO研究方面:我们自行设计加工了znO生长专用MOCVD系统,该系统直接采用O2气为氧源,不引入其他元素,有利于n型、p犁掺杂和载流子浓度的控制。
为了克服DEZn预反应问题,该系统反应室安装了两个特殊设计的源喷枪,将O2和DEZn直接喷淋在衬底片上反应生长,不进行混气。同时为了解决ZnO材料p型掺杂问题,该MOCVD设备添加了射频等离子体增强系统。设备还添加了光照系统,光照可以提高源的分解效率,有助于金属有机物中的烷基脱去,同时可能激活受主杂质。利用该MOCVD系统我们在Si、GaAs、Al2O3、GaF2等衬底上生长制备了高质量ZnO薄膜.
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