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进入90年代以来，化合物半导体量子阱器件的成熟，金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)的进步，基于InGaAlP系高亮度和超高亮度红、黄光LED相继了现，LED应用领域大为扩大。90年代中期随着宽禁带氮化镓材料的生长技术和器件制造技术的突破和改善，超高工的蓝、绿色发光二极管，乃至GaN基白光LED（有人称为半导体照明灯）随之出现。