量子阱器件相关论文
随着分子束外延(MBE)技术和纳机电系统加工技术的快速发展,各种新型的超晶格量子阱器件被加工出来。因尺度变小而产生的各种效应(......
研究了28 nm多晶硅栅工艺中Ge注入对PMOS器件的负偏压温度不稳定性(NBTI)的影响.在N阱中注入Ge,制作了具有SiGe沟道的PMOS量子阱器......
卫星及水下光通信接收方案中,外差接收方案并不多见,主要原因在于,空间及水下传输中由于大气及水流抖动以及湍流等效应影响,光束波面会......
随着半导体量子阱材料的发展,量子阱器件广泛应用于各种领域。本文主要介绍量子阱的基本原理,重点从量子阱材料.量子阱激光器、量子阱......
介绍了在蓝宝石衬底和ELOG(外延横向过生长)衬底上生长的InGaN量子阱LED和LD结构,并描述了LED和LD的器件应用.......