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本文研究了具有不同碳浓度的直拉硅片的空位型缺陷及其高温退火行为。研究发现，随着直拉单晶硅体内碳浓度的提高，硅片原生空位型缺陷密度降低，而且其高温热稳定性变差，碳的引入有利于抑制直拉单晶硅体内空位型缺陷的形成。
碳含量对直拉单晶硅片空位型缺陷的影响
【摘 要】
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本文研究了具有不同碳浓度的直拉硅片的空位型缺陷及其高温退火行为。研究发现，随着直拉单晶硅体内碳浓度的提高，硅片原生空位型缺陷密度降低，而且其高温热稳定性变差，碳的引入有利于抑制直拉单晶硅体内空位型缺陷的形成。
【机 构】
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浙江大学 硅材料国家重点实验室,杭州,310027
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年10期
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