碳化硅半导体相关论文
使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法，计算了纤锌矿理想4H-SiC及含有(1/c)本征缺陷的电子结构，分析了其能带结构和电子态分布。计......
在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用，在小台面完成并......
本文采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对4H-SiC (0001)表面进行处理，并进一步研究了氢等离子体处理对SiO2/SiC界面态的影响。X射线......
SiC半导体具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高、载流子饱和漂移速度高等优异特性,使其在高温、高频、大功率器件领域具有极......
采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法，在偏向晶向8°N型4H-SiC(0001)Si面衬底上水平热壁反应室进行同质外延生长。SEM扫描发现晶片并没......
碳化硅(SiC)作为第三代半导体的代表材料，具有禁带宽度大、热导率高和临界击穿电场高等特点，所制备的光电器件在高温、强辐射等极端......
高压碳化硅功率器件(High Voltage SiC Power Device)以其在电力推动、高速轨道交通、新能源汽车、智能电网、太阳能、风力发电等......
近日，我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。据报道，该碳化硅项目由是山东天岳研制而成的。中国电子材料行业协......
自主研发核心技术9项、申请获得授权专利23项、发表国际论文40余篇……这是一个致力于第三代宽禁带碳化硅半导体外延材料及器件产......
宽带隙半导体碳化硅(SiC)具有高热导率、高电子饱和漂移速度以及大的临界击穿场强,使得其有望成为大功率电力电子器件的首选材料。......
