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铁电和铁磁材料具有优良的多场耦合性能，被广泛地应用于各种传感器、致动器、存储器和自旋电子器件等。铁性智能材料的各种宏观性能高度依赖于材料内部的极化或磁化分布、晶粒取向、位错和原子空位分布等微观结构。我们分别采用连续统的相场法和原子尺度下的第一性原理计算研究了晶粒取向分布、位错和氧空位对铁电材料多场耦合性能的影响。