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本文运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括工作在不同的温度下,具有不同的势垒高度以及在半导体一侧不同的掺杂浓度下的正向和反向偏置下的工作状态.分析模拟结果可知,在比较高的掺杂浓度和比较低的工作温度下,隧穿电流成为结电流主要的部分.
隧穿效应的蒙特卡罗模拟
【摘 要】
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本文运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括工作在不同的温度下,具有不同的势垒高度以及在半导体一侧不同的掺杂浓度下的正向和反向偏置下的工作状态.分析模拟结果可知,在比较高的掺杂浓度和比较低的工作温度下,隧穿电流成为结电流主要的部分.
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年6期
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