对N型InP做氦和氖双离子注入的电特性研究

来源 :第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：letianqingya

【摘要】

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本实验针对N型InP做氦和氖双离子注入及随后的退火,并用C-V测试方法测量样品中缺陷的电特性,测量结果显示,氦和氖双离子注入在InP中引起的损伤可以形成表层P型导电区域,经过4

【作者】

：

徐嘉东李建明张秀兰

【机构】

：

中国科学院半导体研究所(北京)

【出处】

：

第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

【发表日期】

：

2003年期

【关键词】

：

离子注入退火导电测试方法测量结果三极管电特性电结构薄基区样品显示损伤实验缺陷区域表层

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本实验针对N型InP做氦和氖双离子注入及随后的退火,并用C-V测试方法测量样品中缺陷的电特性,测量结果显示,氦和氖双离子注入在InP中引起的损伤可以形成表层P型导电区域,经过400℃3.3分钟的退火,P型导电区可以得到相当的恢复而形成一种NPN的电结构.特别是中间的P区很薄,这个薄的P区可用于三极管的薄基区.

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