【摘 要】
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分别用Si2Sb2Te5合金靶和Si、Sb、Te单质靶三靶共溅射制备相变材料Si2Sb2Te5薄膜,用原位升温测试前者得到的样品的结晶温度为223℃,而后者的结晶温度为275℃.前者的结晶速率较快,二者的高低阻的差异也较大.利用XRD测试对二者进行结构研究,前者的结晶态为Si2Te3和Sb2Te3两者的混合态,而后者的结晶态在不同退火温度下并不稳定.另外,用SEM对前者退火后的Si2Sb2Te5薄
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,纳米技术研究室,上海200050;中国科学院研究生院,北京100049
【出 处】
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2008年上海纳米科技与产业发展研讨会
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分别用Si2Sb2Te5合金靶和Si、Sb、Te单质靶三靶共溅射制备相变材料Si2Sb2Te5薄膜,用原位升温测试前者得到的样品的结晶温度为223℃,而后者的结晶温度为275℃.前者的结晶速率较快,二者的高低阻的差异也较大.利用XRD测试对二者进行结构研究,前者的结晶态为Si2Te3和Sb2Te3两者的混合态,而后者的结晶态在不同退火温度下并不稳定.另外,用SEM对前者退火后的Si2Sb2Te5薄膜进行观察,发现当退火温度达到300℃和350℃时样品表面出现了破损现象.
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