【摘 要】
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本文采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积非晶硅薄膜，然后在快速热退火炉中退火使其晶化。利用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪(Raman)，扫描电子显微镜(SEM)和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的晶化程度及表面形貌进行了测试分析。实验结果表明,随着温度的提高时间的延长，薄膜的晶化越来越好，温度达到900℃时薄膜的晶化效果最好，随着温度的继续升高晶化情况不再明显变化；相对单
【机 构】
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河北工业大学信息功能材料研究所,天津 300130
【出 处】
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
论文部分内容阅读
本文采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积非晶硅薄膜，然后在快速热退火炉中退火使其晶化。利用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪(Raman)，扫描电子显微镜(SEM)和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的晶化程度及表面形貌进行了测试分析。实验结果表明,随着温度的提高时间的延长，薄膜的晶化越来越好，温度达到900℃时薄膜的晶化效果最好，随着温度的继续升高晶化情况不再明显变化；相对单步退火，分步退火可以使薄膜中的氢缓慢释放，减低失氢的剧烈程度抑制孔洞等缺陷的形成，从而提高晶化程度和表面质量。
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