【摘 要】
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目前报道的ZnO基发光器件功率都很低，效率也不高，受激发射比较困难。有三个主要问题，一是目前制备的ZnO薄膜晶体质量大都不好；二是p型ZnO制备困难；三是和ZnO晶格匹配的ZnO基异
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012
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目前报道的ZnO基发光器件功率都很低，效率也不高，受激发射比较困难。有三个主要问题，一是目前制备的ZnO薄膜晶体质量大都不好；二是p型ZnO制备困难；三是和ZnO晶格匹配的ZnO基异质材料不成熟，虽有ZnMgO、ZnBeO等材料在研究，但还不成熟，这样不能制备出对光和载流子有良好限制的异质结结构。为了克服上诉困难，我们采用GaN和ZnO材料组合，制备了几种ZnO-GaN组合异质结发光器件。
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