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该文叙述了退火温度对离子注入半导体探测器参数的影响。
离子注入γ射线探测器退火工艺研究
【摘 要】
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该文叙述了退火温度对离子注入半导体探测器参数的影响。
【机 构】
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研究院(北京)
【出 处】
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第八届全国核电子学与核探测技术学术年会
【发表日期】
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1996年期
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