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采用直流反应磁控溅射法、室温下在Ｎ－Ｓｉ（００１）上外廷生长了ＺｎＯ薄膜。ＸＲＤ表明已得到ＺｎＯ（０００２）的高度Ｃ－轴单一取向的结果。ＸＲＣ则表明在一批样品上ＦＷＨＭ＜１．１°。这优于国内外溅射法同行得到的约２°的最佳结果。而且生长温度及薄膜厚度还低于同行的相应参数。
Ｎ－Ｓｉ（００１）上反应溅射生长高质量的ＺｎＯ
【摘 要】
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采用直流反应磁控溅射法、室温下在Ｎ－Ｓｉ（００１）上外廷生长了ＺｎＯ薄膜。ＸＲＤ表明已得到ＺｎＯ（０００２）的高度Ｃ－轴单一取向的结果。ＸＲＣ则表明在一批样品上ＦＷＨＭ＜１．１°。这优于国内外溅射法同行得到的约２°的最佳结果。而且生长温度及薄膜厚度还低于同行的相应参数。
【机 构】
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科学院半导体材料科学实验室(北京) 科学院上海光学精密机械研究所薄膜技术中心
【出 处】
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第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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1999年12期
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