论文部分内容阅读
GaP单晶中的背景深能级（详细摘要）
【机 构】
：
北京师范大学
【出 处】
：
第四届全国发光学术会议
【发表日期】
：
1986年期
其他文献
为了探讨和发展单晶金属材料的非弹性有限变形分析方法，建议采用一种基于乘法分解的单晶各向异性弹塑性分析的计算格式。该方法以Heniky对数弹性应变来计算应力，是一种以初始构
分析了非掺ＧａＳｂ单晶片的化学抛光机制和影响非掺ＧａＳｂ单晶片抛光的因素，得到了非掺ＧａＳｂ的抛光工艺，利用该工艺可以制备表面质量优良的非掺ＧａＳｂ抛光片。
单晶连铸技术是一项近成品形状（ｎｅａｒ－ｎｅｔ－ｓｈａｐｅ）生产技术。其产品除了具有优美的外观质量及键全的内部质量外，还具有非常优异的塑性加工性能。该文通过对φ８ｍｍ纯Ａｌ单晶线材（采用自制的水平单晶连铸设