【摘 要】
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石墨烯因其独特的性质，近年来迅速成为材料科学、凝聚态物理等众多领域的研究热点。在石墨烯和宽禁带半导体构成的电子和光电子器件中，石墨烯与半导体所形成的界面是器件的核心结构。因此，从理论和实验上对于界面电学特性的微观测量及其载流子的输运机制的系统性研究，将有助于进一步推动石墨烯在半导体电子和光电子器件方面的应用发展。在本报告中，我们以石墨烯与GaN半导体的接触界面为研究对象，应用自主研发的扫描近场光电
【机 构】
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中科院苏州纳米所测试分析平台,苏州园区若水路398号
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石墨烯因其独特的性质，近年来迅速成为材料科学、凝聚态物理等众多领域的研究热点。在石墨烯和宽禁带半导体构成的电子和光电子器件中，石墨烯与半导体所形成的界面是器件的核心结构。因此，从理论和实验上对于界面电学特性的微观测量及其载流子的输运机制的系统性研究，将有助于进一步推动石墨烯在半导体电子和光电子器件方面的应用发展。在本报告中，我们以石墨烯与GaN半导体的接触界面为研究对象，应用自主研发的扫描近场光电多功能探针系统，采用导电原子力显微镜方法，配合微区拉曼光谱，并以传统金属-半导体接触理论为基础，针对石墨烯费米能级可浮动的特点，考虑半导体表面态的贡献，完善了石墨烯-半导体肖特基接触的理论模型，在实验和理论上系统地研究了机械解理石墨烯和化学气相沉积生长石墨烯在与GaN半导体接触后的费米能级自适应移动特性及其相应的载流子输运机制，并发现了石墨烯褶皱可与GaN形成欧姆接触的独特性质。
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