SIS结混频器的实验研究

来源 :第五届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:i_love_snj
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该文介绍了SIS结混频器的研究目的和方法。同时介绍了实验中有关部件的设计。并 给出了相关的基波混频和次谐波混频初步的测试结果。
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本文采用正交试验方法研究了超超临界汽轮机用耐热钢ZG1Cr10MoWVNbN的热处理工艺,分析了正火温度及保温时间和回火温度三个因素对超超临界汽轮机耐热钢组织和性能的影响规律,研究了最佳的热处理工艺的实现方法和方案.结果表明在正火温度为1100℃保温时间5小时后空冷,高温回火温度670℃保温5小时然后随炉冷到300℃以下出炉,所得到的性能为最佳.
通过高温粘结剂在耐火材料载体上制备纳米TiO2涂层,以改善蓄热燃烧系统中的蜂窝状蓄热体内的碳黑沉积情况,延长其使用寿命.并采用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对所制备的涂层的表面形貌、物相和晶粒度等结构性质进行表征.结果表明,纳米涂层在650oC的热处理温度下表面易产生明显的裂纹;碳黑掺杂入涂层有利于TiO2粉末在耐火材料载体上的附着;同时涂层物相是锐钛矿相和金红石相并存的晶型。
对35Mn2V钢中TiN和V(CxN1-x)在奥氏体中的平衡固溶量及V(CxN1-x)中的系数进行了理论计算,并研究了碳、氮、钒含量变化对奥氏体中化学成分的影响.基于钢中各析出相之间的相互溶解现象,分析了实际生产用钢中碳氮化物的类型及析出次序.结果表明,该钢中V(CxN1-x)最高析出温度为955°C左右,在600-750°C范围内时,V(CxN1-x)析出量显著增加,并且在900°C以下的温度范
在Gleeble2000热力模拟机上采用应力松驰方法,研究了新型非调质油井管用钢33Mn2V在600°C~950°C范围含钒碳氮化物的应力诱导析出行为.结果表明:实验用钢的PPT曲线具有双"C"型特征,析出孕育期最短温度分别大致为850°C和600°C,其分别是富N的V(CxN1-x)和富C的V(CxN1-x)沉淀析出最快温度.析出相形貌主要为方形和圆角方形,其中方形颗粒是均热过程中未溶解的TiN
作者通过脉冲激光淀积的方法在Y-ZrO衬底上原位生长了Pb(ZrTiO/YBaCuO双层薄膜,在此样品上利用电子探针分析了成份,X衍射谱证明 了两层薄膜的单取向生长。并对Pb(ZrTiO薄膜的铁电性质进行了测试,得到了典型的电滞回线。
采用脉冲激光沉积镀膜的方法,在钛酸锶单晶基片上制备了具有自发生成的有序微裂纹结构的LaCaMnO(LCMO)薄膜。通过制备工艺的优化,获得了具有不同裂 纹密度的LCMO薄膜,并采用离子刻蚀技术改善裂纹的微结构实现裂纹宽度的精确控制。这为单条微裂纹隧道结的制备提供了很大的方便。文中详细地讨论了薄膜制备工艺与薄膜结构的关系,以及薄膜表面的改善方法。
该文讨论了基于快速单磁通量子(简称RSFQ)电路的调制解调器模型,根据这一模型作者对该调制解调器的相关的逻辑电路进行了设计,给出了它们的工作原理和特性。在此基础上作者从数字式RSFQ调制解调器模型进行了设计和仿真计算,表明设计是合理的,达到了预期的效果。
该文通过多种实验手段对Ag/YBCO薄膜在高温退火后,Ag膜与YBCO薄膜发生的相互作 用进行了研究。结果表明,一部分Ag扩散到YBCO薄膜内部。但并没有发生化学作用,作者认为Ag有可能在YBCO的晶界处形核生长,在YBCO晶格内部产生应力,导致晶格畸变,使Ag与YBCO的接触电阻值大幅增长。
利用超薄SiO作缓冲层,在Si(100)衬底上成功地制备了高度c取向的PZT薄膜,SiO的厚度对PZT薄膜的单相单一取向性有重要影响。所得PZT薄膜极化性能良好,饱和极 化、剩余极化分别为26uC/cm和10uC/cm,矫顽场为70kV/cm,且在栅压为0.5V时观 察到明显的场效应,且在栅撤璃后具有“记忆”功能。
为了利用超导薄膜制作高性能电子器件和电路,必须发展超导薄膜的平面工艺。该文采用脉冲激光和掩膜方法进行了YBCO超导薄膜局域改性的实验研究,对改性条件等参数作了详细报道,并对改性的薄膜作了成分及超导电性的分析。最后利用微波近场显微镜对用激光局域改性方法制作的YBCO薄膜条纹器件进行了微波特性分布的分析。结果表明这是一种合适的制作高Tc超导薄膜器件的方法。