低压、高线性、高效率CDMA功率放大器

来源 :第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：numlof

【摘要】

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本文报道了低压、高线性、高效率CDMA功率放大器的设计与制造.该放大器采用GaInP/GaAs HBT技术,芯片尺寸:1.1mm×1.4mm,并利用LGA封装技术将芯片和10个元件封装在6mm×6mm×1

【作者】

：

郑远许晓丽纪军魏倩李拂晓邵凯杨乃彬

【机构】

：

南京电子器件研究所

【出处】

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第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会

【发表日期】

：

2005年8期

【关键词】

：

CDMA功能放大器高线性表面贴装封装法邻信道功率比值低功率工作模式温度特性补偿

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本文报道了低压、高线性、高效率CDMA功率放大器的设计与制造.该放大器采用GaInP/GaAs HBT技术,芯片尺寸:1.1mm×1.4mm,并利用LGA封装技术将芯片和10个元件封装在6mm×6mm×1.1mm 7引脚的表面贴装封装内.在3.4V、450-460MHz、CDMA2000调制模式下,达到:功率增益(Gp)29dB输出功率(Pout)≥29dBm,最大功率附加效率(PAE)≥38﹪,邻信道功率比值(ACPR)在88kHz和1.98kHz分别小于-50dBc和-60dBc.该产品适用于相应的移动通信终端产品中.

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