【摘 要】
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在金属/锗肖特基结构中使用化学浴插入了一层含碳元素的绝缘层，该层可以起到调节肖特基接触势垒高度的作用。该超薄含碳层对锗表面起到良好的钝化作用，可以阻挡金属中的自
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,北京 100084
【出 处】
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
论文部分内容阅读
在金属/锗肖特基结构中使用化学浴插入了一层含碳元素的绝缘层，该层可以起到调节肖特基接触势垒高度的作用。该超薄含碳层对锗表面起到良好的钝化作用，可以阻挡金属中的自由状态进入锗材料中，从而减缓金属导致的带隙状态(MIGS)现象，释放费米能级钉扎，进而降低接触肖特基势垒高度。使用化学浴，采用1-十八烯在Ge表面得到了绝缘阻挡层，对金属/绝缘层/锗结构的电流传导方式和能级状态进行了分析，并与使用传统中间层(如SiN)的结果进行了对比。结果表明，使用新方法形成的接触所得到的肖特基势垒高度可以与使用传统的中间层材料及工艺的结果比拟，并具有工艺简单、稳定性强等优点。
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