【摘 要】
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本文采用双指数模型对硼氧复合体在p型硼磷补偿直拉单晶硅中所引起的光致衰减现象进行了研究.研究结果表明在p型补偿硅中硼氧复合体慢衰减过程中的生成激活能为0.43eV,这与非补偿硅中的值一致.所以,认为硼氧复合体在补偿硅中和在普通硅中的结构是相同的.另外,还发现补偿硅中硼氧复合体生成过程的指前因子变化规律也与普通硅中的无异.而这一现象可以用双氧原子在硅晶格中通过短程扩散向硼原子靠近从而最终形成复合体的
【机 构】
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硅材料国家重点实验室,浙江大学材料科学与工程系,杭州310027
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本文采用双指数模型对硼氧复合体在p型硼磷补偿直拉单晶硅中所引起的光致衰减现象进行了研究.研究结果表明在p型补偿硅中硼氧复合体慢衰减过程中的生成激活能为0.43eV,这与非补偿硅中的值一致.所以,认为硼氧复合体在补偿硅中和在普通硅中的结构是相同的.另外,还发现补偿硅中硼氧复合体生成过程的指前因子变化规律也与普通硅中的无异.而这一现象可以用双氧原子在硅晶格中通过短程扩散向硼原子靠近从而最终形成复合体的行为来解释.因此,以上这些结果为研究组近来提出的新的硼氧复合体结构模型提供了有力的支持.
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