SiC、SiC团簇的几何结构和电子结构的研究

来源 :中国化学第八届量子化学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:giaobiao123
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用密度泛函理论(DFT)的B3LYP/6-311G<*>方法,对Si<,2>C<+><,m-2>和Si<,2>C<-><,m-2>(m=4~14)团簇的几何构型、电子结构等性质进行了研究.结果表明,Si<,2>C<+><,m-2>和Si<,2>C<-><,m-2>(m=4~14)团簇的基态均为线状结构,Si原子倾向于在C链端部成键:对于Si<,2>C<,m-2>(x=0,-1)团族,m为奇数的Si<,2>C<,m-2>离子团簇比m为偶数的更为稳定,对于Si<,2>C<+><,m-2>团簇,在m≤11范围内,m等于偶数时团簇较稳定;而在12≤m≤14范围内,m=11的团簇较稳定.
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应用密度泛函理论(DFT)研究了CH+NO→OH+CHN的反应机理,在B3LYP/6-31G(d)水平上优化了反应通道上各驻点的几何构型.所有的构型都在CCSD/6-311++G(d,p)水平上做了单点能计算并做零点能较正.从过渡态的虚振动模式出发计算内禀反应坐标(IRC),确认反应路径和中间体的异构化过程.在该通道中找到了3个中间体和2个过渡态.其中IM1→TS的活化能较大(281.7kJ/mo
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用密度泛函(DFT)理论方法研究了丙酮团簇(CHCOCH)(n=2-5)的最稳定构型及与各构型相应的能量.计算得到了(CHCOCH)(n=2-5)团簇结合能的变化趋势.分析并讨论了环形稳定构型的振动光谱.
用从头算方法对氟原子与甲烷的反应进行了研究,得到了反应的势能面和两个通道:一个属于S2取代反应,氟原子取代另一侧的氢原子,得到氟代甲烷和氢原子;一个是氟原子从甲烷中抽取一个氢原子,得到氟化氢和甲基自由基.第一个通道的电荷、自旋密度变化的分析表明,电荷和自旋布居突变发生在越过过渡态后的某一构型上;第二个通道复杂一些,涉及几个络合物和过渡态的形成和分解.同时,用变分过渡态理论完成了速率常数计算,结果表
用量子化学密度泛函理论的B3LYP方法,在6-31+G*水平上按BERNY能量梯度解析全参数优化了HNCO与氟、氯取代的单态卡宾自由基CX(X=F、Cl)反应势能面上各驻点的几何构型,通过振动频率分析确认了中间体和过渡态,内禀反应坐标(IRC)对反应物、中间体、过渡态和产物的相关性予以证实,对各驻点进行了零点能校正(ZPE),在此基础上计算了反应能垒.研究结果表明,HNCO与CX自由基反应首先发生
准经典轨线法(QCT)是目前理论上研究高振动激发态大分子碰撞传能的常用方法之一,本文用QCT方法计算了高振动激发态的CH与H,HO,NH,CH的碰撞传能,发现了高振动激发态的CH与这些基态分子的碰撞传能机理.在起始振动能E较低时(2 4000cm),CH的振动能主要传至H的平动自由度,即V-T传能;或者传至CH的和自身的转动自由度,即V-R传能.在E较高时主要传至H的转动和平动自由度,即V-R(T
采用基于第一性原理的密度泛函方法对H在NbC(111)面上的解离过程进行了研究,结果表明,H在该表面上的解离易于发生,通过考察各中间态的能带结构,可知在H解离的过程中,H的1s诱导态(占据)所处能量位置存在着先上升后下降的过程,同时清洁表面中以表面Nb原子的d/d为主要成分的表面态能带消失,这表明该表面态参与了H的解离过程.
首次用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法在6-31G水平上对AlN(n+m=2~5)团簇系列的几何构型进行优化和频率计算,并用AIM中的自然轨道法分析了成键情况.通过对得到的各团簇基态结构的键级、键长以及键角等几何参数进行的分析和讨论表明,在AlN(n+m=2~5)团簇的基态结构中存在N—N键和Al—N键,而不存在Al—Al键.对其系统离解能的比较和研究发现,具有AlN结构形式的团簇最稳定.
利用Gaussian-98计算程序,B3LYP方法,6-311G基组,对SiM(M=Li,Na,K,Be,Mg,Ca,B,Al)原子簇的几何构型进行优化,得出它们的稳定结构.分析了C对称的最稳定的类平面菱形SiM(M=Li,Na,K,Be,Mg,Ca,B,Al)原子簇的Mulliken电荷布居和重叠布居,得出在类平面菱形的SiM(M=Li,Na,K,Be,Mg,Ca,B,Al)原子簇中,同一主族依
利用动力学代数方法,首先构造了CH分子的代数哈密顿量;然后利用自己编写的四原子分子的转振光谱的计算程序,计算了CH分子的高激发振动光谱,给出了CH分子代数哈密顿量中的代数参数,画出了∑和Π带的能级结构图.