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我们尝试构造一种在双中心近似基础上引入键环境修正的新的关于半导体锗的紧束缚势模型，该模 型考虑了环境原子对相互作用原子的屏蔽作用。通过测试计算，这一新的锗的势模型显示出较好的传递性， 可适用于研究一些锗的低维体系比如表面、纳米线等。
包含键环境修正的半导体锗的紧束缚势模型
【摘 要】
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我们尝试构造一种在双中心近似基础上引入键环境修正的新的关于半导体锗的紧束缚势模型，该模 型考虑了环境原子对相互作用原子的屏蔽作用。通过测试计算，这一新的锗的势模型显
【机 构】
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中国科学技术大学物理系,安徽,合肥 230026
【出 处】
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第5届海内外中华青年材料科学技术研讨会暨第13届全国青年材料科学技术研讨会
【发表日期】
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2011年期
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