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对含N薄栅MOS电容进行了Co-60γ辐照和100℃恒温退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中N的引入，能明显抑制辐射感生Si/SiO<,2>界面态的产生，减少初始固定正电荷和界面态，减小辐照后界面陷阱的退火速率。用一定模型解释了实验结果。
含N薄栅介质的电离辐照及退火特性
【摘 要】
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对含N薄栅MOS电容进行了Co-60γ辐照和100℃恒温退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中N的引入，能明显抑制辐射感生Si/SiO界面态的产生，减少初始固定正电荷和界面态，减小辐照后界
【机 构】
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科学院新疆物理研究所（乌鲁木齐）
【出 处】
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中国电子学会电子产品防护技术'98研讨会
【发表日期】
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1998年期
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