自由激子相关论文
近些年来,钙钛矿材料在诸如太阳能电池,光发射二极管,光探测器,激光器等领域取得了重大的研究进展。其中,二维钙钛矿因其稳定性好,......
二维材料由于其超薄的物理尺寸、强面内共价键作用、超大的比表面积和表面原子的高曝光率可以广泛应用于制备电子/光电器件、超级......
报道了利用低压金属有机汽相外延(LP-MOCVD)工艺首先在硅(n-Si衬底上生长硫化锌(ZnS)薄膜,然后将 硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下......
本文介绍了纳米ZnO具有体材料所不具备的表面效应和量子尺寸效应，从而产生了许多优异的光、电、磁等方面的性质，在光通讯、光存......
在高纯ZnSxSe1-x单晶的自由激子光谱中首次观察到过热激子能量弛豫的振荡结构。激发光谱的结构。激子的寿命与ZnSxSe1-x三元系的组......
纳米钛酸镍粉未从可见光到近红外范围的光声光谱出现了三个强的吸收峰。４４５ｎｍ和５０５ｎｍ附近的吸收峰产生于自由激子和束缚激子的光跃迁，其变化趋......
ZnO的激子特性对制备氧化锌基的光电子器件至关霞要,因此对ZnO量子点中激子的发光性质及其跃迁过程进行研究显得十分必要.采用溶胶......
该文利用数值计算模拟第一次对蒽晶体结构的压力效应和蒽中的激子态作了一些有益的探讨.首先研究人员采用了NPT紧束缚分子动力学方......
利用低压 -金属有机汽相外延 (L P- MOCVD)工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌 (Zn S)薄膜 ,然后 ,将硫化锌薄膜在氧气中于不同温......
在77—300K温度范围内,用N_2分子激光器的3371谱线激发未故意掺杂的p型ZnTe晶体,得到了与自由激子有关的发射。发现随着激发密度的......
ZnO的激子特性对制备氧化锌基的光电子器件至关重要,因此对ZnO量子点中激子的发光性质及其跃迁过程进行研究显得十分必要。采用溶......
利用低压-金属有机汽相外延（LP-MOCVD）工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌（ZnS)薄膜，然后，将硫化锌薄膜在氧化中于不同温度下进行热氧......
本文在77K和N_2激光器3371谱线高密度激发的VPE ZnSe单晶膜上,首次得到了起因于自由激子与自由激子(Ex-Ex)散射的发光谱带(P带),理......
分别使用X衍射仪和紫外（190nm～800nm）分光光度仪，测量了用分子束外延法生长在SIC（001）基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的......
用光电导测定厚度为４￣３０μｍ的未掺杂ＧａＡｓ ＭＣＶＤ外延层中自由激子跃迁特性，发现当外延层厚度增加时，结合能Ｒｘ增大，ｎ＝１自由激子峰位略向低能区漂移，而激子的......
采用CVD法在a-面蓝宝石衬底上制备了ZnO籽晶层,然后在籽晶层上用碳热还原法制备了高质量的ZnO纳米线阵列。发现生长后的ZnO纳米线......
GaN基半导体器件的商业化使得当前对Ⅲ族氮化物的研究发展迅猛。由于带隙可以从6.2eV到0.7eV连续变化,所对应的波长覆盖了从近红外......
本文报道了利用低压金属有机气相外延(LP-MOCVD)工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌(ZnS)薄膜,然后,将硫化锌薄膜在氧气中于不同......
