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本文采用SF6和O2两种不同的气体对SiC进行ICP沟槽刻蚀,当O2的流量增加时,O2和F离子会与C生成易挥发的CO,CO2和COF2,进而增加了SiC的刻蚀速率(如图1所示)。
ICP参数和掩膜材料对SiC刻蚀界面的影响
【摘 要】
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本文采用SF6和O2两种不同的气体对SiC进行ICP沟槽刻蚀,当O2的流量增加时,O2和F离子会与C生成易挥发的CO,CO2和COF2,进而增加了SiC的刻蚀速率(如图1所示)。
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能国家重点实验室,上海,200050;中国科学院大学 北京 101407
【出 处】
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第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2016年5期
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